Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2021
Tezin Dili: İngilizce
Öğrenci: DHEYAB THAER NOORI
Danışman: Abdullah Özkartal
Özet:
Bu çalışmada, 7.3 x 1015
cm-3 taşıyıcı konsantrasyonuna sahip, [100]
doğrultusunda büyütülmüş, 350 µm
kalınlığında, Si katkılı n-GaAs
kristali kullanıldı. % 99,9 saflıktaki nikel (II) oksit nano tozunu termal
buharlaştırma yöntemi ile n-GaAs kristalin üzerine kaplayarak p-NiO/n-GaAs kontakları üretildi. Üretilen kontakların elektriksel ve
optiksel özellikleri araştırıldı.
Üretilen p-NiO ince filmlerin optiksel ve yapısal
özellikleri UV-Vis, SEM, EDX ve XRD spektrofotometre teknikleri ile incelendi. p-NiO/n-GaAs diyotların akım-voltaj (I-V)
ölçümleri oda sıcaklığında, karanlıkta ve güneş simulatörü altında alındı.
Üretilen numunelerin kapasite-voltaj (C-V)
ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Üretilen kontakların idealite
faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (RS) gibi karakteristik diyot
parametreleri belirlendi. Bu parametreler Cheung fonksiyonları ile hesaplandı
ve I-V den elde edilen sonuçlarla
karşılaştırıldı. Bununla birlikte üretilen diyotlar 250 ℃ tavlandı ve termal
tavlamanın diyot paramettreleri üzerine etkisi araştırıldı.
Elde edilen sonuçlar literatürdeki değerlerle
karşılaştırlmış ve termal tavlamanın diyot
parametrelerine önemli ölçüde etkidiği görülmüştür.