Özkartal A. (Yürütücü)
Yükseköğretim Kurumları Destekli Proje, 2018 - 2021
Bu çalışmada, 7.3 x 1015 cm-3
taşıyıcı konsantrasyonuna sahip, [100]
doğrultusunda büyütülmüş, 350 µm
kalınlığında, Si katkılı n-GaAs
kristali kullanılarak, % 99,9 saflıktaki nikel (II) oksit nano tozunu termal
buharlaştırma yöntemi ile p-NiO/n-GaAs kontakları üretildi, elektriksel ve
optiksel özellikleri araştırılmıştır.
Üretilen p-NiO/n-GaAs
diyotların akım-voltaj (I-V)
karanlıkta ve güneş simulatörü altında, kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlıkta alındı. Üretilen p-NiO/n-GaAs kontakların idealite faktörü (n), engel yüksekliği