Production of p-NiO / n-GaAs HeteroJunction Contacts, Investigation of Photovoltaic and Electrical Properties

Project Supported by Higher Education Institutions, BAP Research Project, 2018 - 2021

Project Type: Project Supported by Higher Education Institutions
Support Program: BAP Research Project
Begin Date: September 2018
End Date: May 2021

Project Abstract

Bu çalışmada, 7.3 x 10¹⁵ cm^-3 taşıyıcı konsantrasyonuna sahip, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 350 µm kalınlığında, Si katkılı n-GaAs kristali kullanılarak, % 99,9 saflıktaki nikel (II) oksit nano tozunu termal buharlaştırma yöntemi ile p-NiO/n-GaAs kontakları üretildi, elektriksel ve optiksel özellikleri araştırılmıştır.

Üretilen p-NiO/n-GaAs diyotların akım-voltaj (I-V) karanlıkta ve güneş simulatörü altında, kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlıkta alındı. Üretilen p-NiO/n-GaAs kontakların idealite faktörü (n), engel yüksekliği ve seri direnç (R_s) gibi karakteristik diyot parametreleri belirlendi. Bu parametreler Cheung fonksiyonları ile hesaplandı ve I-V den elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı. Ayrıca sonuçlar, diğer üretim teknikleri ile üretilen diyot değerleri ile de karşılaştırılmıştır.