TEMİZ HAVA ORTAMINA MARUZ BIRAKILMIŞn-Si VE n-GaP YARIİLETKENLERDEN ÜRETİLMİŞSCHOTTKY DİYOTLARIN KARAKTERİSTİKLERİNEARAYÜZEY OKSİT TABAKA KALINLIĞININ ETKİSİ
Tez Türü: Doktora
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Dr), Türkiye
Tez Danışmanı: Bati, B.
Tezin Onay Tarihi: 2015
Tezin Dili: Türkçe
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Desteklendiği Program: Diğer
Özet:
Bu
araştırmada deneysel olarak, üç (3) grup Omik kontaklı diyot üretilmiş, 1. grup
diyot, Cu/n-Si/Al sekiz (8) adet diyot 64 günde (0, 2, 4, 8, 16, 32, 48, 64)
günlerinde, 2. grup diyot, Cu/n-Si/Al onüç (13) adet diyot 36 günde (0, 3, 6,
9, 12, 15, 18, 21, 24, 27, 30, 33, 36) günlerinde, 3. grup diyot, Pd/n-GaP/InZnSb
onüç (13) adet diyot 36 günde (0, 3, 6, 9, 12, 15, 18, 21, 24, 27, 30, 33, 36)
günlerinde “havaya maruz bırakılmış (air-exposed) Schottky diyotlar
üretilmiştir. Metal/yarıiletken MS arayüzeyinin kalınlığının; I-V
(akım-voltaj), C-V (sığa-voltaj), C-2-V (terskare sığa-voltaj), G-V
(konduktans-voltaj), C-f (sığa-frekans) ve diğer değişkenlerin karakteristik
grafikleri çizilmiş, grafiklerden elde edilen parametreler yardımıyla hesaplamalar
yapılmış arayüzeyin kalınlık etkisinin, karakteristiklerde önemli değişimler
oluşturduğu gözlenmiştir.