Akademik Veri Yönetim Sistemi
Süleyman Demirel Journal of Natural and Applied Sciences, cilt.20, ss.1-5, 2017 (Hakemli Dergi)
foto voltaik aygıt uygulaması rapor edilmiştir. Kimyasal olarak temizlenen tabanın
mat yüzeyine ısıl buharlaştırma yöntemiyle Al arka kontak oluşturulduktan sonra,
dönel kaplama yardımıyla organik ara yüzey tabakası Si taban üzerine
kaplanmıştır. Aygıt üretimini tamamlamak için, bu organik ince filmin üzerine Al
üst kontaklar oluşturulmuştur. Aygıtın foto voltaik özelliklerini iyileştirmek
amacıyla hazırlanan örnek farklı şiddetlerdeki aydınlamaya maruz bırakılmıştır.
Farklı aydınlanmalar altında aygıtın açık devre voltajı (Voc), kısa devre akımı (Isc)
ve çıkış gücü (P) gibi temel güneş pili parametreleri belirlenmiştir. Aydınlanma
şiddetinin artması ile fotoakım ve fotogerilim değerleri artmıştır. Ayrıca, yüksek ve
düşük frekans değerlerinde aygıt sığasının voltaj bağımlılığı rapor edilmiştir.
Aydınlanma şiddetinin üretilen aygıtın fotovoltaik parametreleri üzerinde önemli
bir etkisinin olduğu sonucuna varılmıştır.
(BTB) as an organic interlayer has been reported. After Al back contact fabrication
on the surface of the chemically cleaned substrate by thermal evaporation method,
the organic interlayer has been grown on p-Si substrate via spin coating technique.
Al top contacts have been formed on this organic thin film to finalize the device
constructions. The different illumination intensities were exposed to the prepared
sample for the enhancement in the photovoltaic properties of device. The
fundamental photovoltaic parameters such as open circuit voltage (Voc), short
circuit current (Isc) and output power (P) were determined for the device under
different illuminations. The photocurrent and the photo voltage have been
increased with the increasing in illumination intensity. The dependence of the
capacitance on the voltage at high and low frequency has been also reported for
the studied device. Consequently, it has been confirmed that the illumination
intensity has an important influence on the photovoltaic parameters of the device.