Düzgün manyetik alanın Sn/p-Si Schottky kontakların akım-voltaj karakteristikleri üzerine etkisi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Yl) (Tezli), Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2008

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Selçuk Aydemir

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Cabir Temirci

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada, düzgün manyetik alanın ara yüzey tabakalı ve ara yüzey tabakasız Sn/p-Si Schottky diyotların akım-voltaj karakteristikleri (idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç) üzerine etkileri incelenmiştir.Numunelerin ters beslem ve doğru beslem akım-voltaj ölçümleri 0 G, 50 G, 100 G ve 150 G düzgün manyetik alanlar uygulanarak yapıldı. Akım-voltaj ölçümlerinden her bir numunenin akım-voltaj grafikleri uygulanan manyetik alana bağlı olarak çizildi. Akım-voltaj grafikleri yardımıyla arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız numunelerin karakteristik parametreleri belirlendi ve uygulanan düzgün manyetik alanın onlar üzerine etkileri incelendi. Hesaplanan idealite faktörü ve engel yüksekliği değerlerini doğrulamak ve seri direnci belirlemek için Cheung fonksiyonları kullanıldı.Ara yüzey tabakasız MS Sn/p-Si (Schottky) kontağın idealite faktörü değeri uygulanan manyetik alana bağlı olarak düşme gösterirken, engel yüksekliği ve seri direnç değeri uygulanan manyetik alanla artma göstermektedir. Ara yüzey tabakalı MIS Sn/p-Si (Schottky) kontağın idealite faktörü değerinin uygulanan manyetik alana bağlı olarak azaldığı, engel yüksekliğinin arttığı tespit edilmiştir. İlave olarak, seri direnç değerinin 0-100 G aralığında azaldığı ve 100 G-150 G aralığında da artma gösterdiği tespit edilmiştir. MIS ve MS kontakların karakteristik parametrelerinin uygulanan manyetik alana bağlı değişimleri farklılıklar göstermektedir. Numunelerin manyetik alanla etkileşiminden kaynaklanan bu farklılıkları ara yüzey tabakasına atfetmekteyiz.