COLPİTTS TİPİ KRİSTAL OSİLATÖR DEVRESİNİN TASARIMI VE ANALİZİ


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2026

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Özge Kaya

Danışman: İshak Parlar

Özet:

Yüksek frekanslı ve kararlı sinyal üretiminde Colpitts tipi kristal osilatör devresi, düşük faz gürültüsü ve uzun vadeli frekans stabilitesi özellikleriyle öne çıkmaktadır. Hassas uygulamalar için ideal olan bu devre, özellikle iletişim sistemleri ve hassas ölçüm cihazlarında güvenilir ve temiz bir osilasyon sinyali sağlama kapasitesine sahiptir. Bu çalışmada öncelikle Colpitts tipi kristal osilatör devresinin eşdeğer devre modelleri tasarlanmış, devrenin matematiksel bağıntıları elde edilmiş ve teorik analizler gerçekleştirilmiştir. Elde edilen eşdeğer devre modellerinin teorik analizleri yapıldıktan sonra, OrCAD / PSpice®, NI Multisim® simülasyon programları kullanılarak benzetim çalışmaları gerçekleştirilmiştir. Ayrıca MATLAB yazılım programı ile nümerik analizler yapılarak sistemin çıkışına katkıda bulunulmuştur. Teorik modellerin simülasyon sonuçları laboratuvar ortamında elde edilen deneysel veriler ile doğruluğu kanıtlanmıştır. Bu sayede teorik, simülasyon ve deneysel sonuçlar arasında yüksek bir uyumun olduğu gösterilmiştir.  Sonuçlar, geliştirilen modellerin salınım başlatma süresi, geçici davranış ve salınım bandı yerleşme süreleri açısından fiziksel sistemi başarıyla temsil ettiğini göstermiştir. Ayrıca, başlatma kararsızlıkları ve yük etkileri gibi pratik sorunlara yönelik çözümler, devrenin güvenilir ve tekrarlanabilir bir şekilde çalıştığı sonucuna varılmasını sağlamıştır.