Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2026
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Özge Kaya
Danışman: İshak Parlar
Özet:
Yüksek frekanslı ve
kararlı sinyal üretiminde Colpitts tipi kristal osilatör devresi, düşük faz
gürültüsü ve uzun vadeli frekans stabilitesi özellikleriyle öne çıkmaktadır.
Hassas uygulamalar için ideal olan bu devre, özellikle iletişim sistemleri ve
hassas ölçüm cihazlarında güvenilir ve temiz bir osilasyon sinyali sağlama
kapasitesine sahiptir. Bu çalışmada öncelikle Colpitts tipi kristal osilatör
devresinin eşdeğer devre modelleri tasarlanmış, devrenin matematiksel
bağıntıları elde edilmiş ve teorik analizler gerçekleştirilmiştir. Elde edilen
eşdeğer devre modellerinin teorik analizleri yapıldıktan sonra, OrCAD /
PSpice®, NI Multisim® simülasyon programları kullanılarak benzetim çalışmaları
gerçekleştirilmiştir. Ayrıca MATLAB yazılım programı ile nümerik analizler
yapılarak sistemin çıkışına katkıda bulunulmuştur. Teorik modellerin simülasyon
sonuçları laboratuvar ortamında elde edilen deneysel veriler ile doğruluğu
kanıtlanmıştır. Bu sayede teorik, simülasyon ve deneysel sonuçlar arasında
yüksek bir uyumun olduğu gösterilmiştir.
Sonuçlar, geliştirilen modellerin salınım başlatma süresi, geçici
davranış ve salınım bandı yerleşme süreleri açısından fiziksel sistemi
başarıyla temsil ettiğini göstermiştir. Ayrıca, başlatma kararsızlıkları ve yük
etkileri gibi pratik sorunlara yönelik çözümler, devrenin güvenilir ve
tekrarlanabilir bir şekilde çalıştığı sonucuna varılmasını sağlamıştır.