NiCuGo/n-Si/AlLa Schottky diyotların ışık altında elektrik özelliklerinin incelenmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Yl) (Tezli), Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2023

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MANSUR SÖNMEZ

Danışman: Abdulkadir Korkut

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Üst kontağı metal ve toz grafen oksit karışımı kullanılarak, NiCuGO(%15)/n-Si/AlLa ve NiCuGO(%30)/n-Si/AlLa olarak grafen oksitli ve aynı diyotlar NiCu metal bileşimi ile karşılaştırma diyotu olarak grafensiz Schottky diyotlar üretildi. Diyotların karanlıkta ve ışık altında elektrik değişkenleri incelendi. Diyotların omik kontağı Al(%75)La(%25) oranında omik kontak yapılmış, diyotların elektriksel değişkenlerinin özelliklerinin nasıl etkilendiği incelenmiştir. İncelemeler ters ve düz besleme durumunda yapılmıştır. Grafen oranı büyük olan diyotların daha kararlı parametre değeri gösterdiği ortaya kon-muştur.