Farklı grafen oksit oranına sahip schottky diyotların elektriksel arayüzeyinin özelliklerinin araştırılması

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Yl) (Tezli), Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2026

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MEHMET ÖZKAN

Danışman: Abdulkadir Korkut

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Ara yüzeyi [GO] bileşimli (Pd/n-Si/AlCdCuZn), (PdSn/n-Si/AlCdCuZn), (Pd+SnGO(20, 30, 40, 50)/n-Si/AlCdCuZn) diyotundaki rGO yüzdesi değiştirildi, referans diyotla birlikte elde edilecek altı adet Schottky diyotun oda sıcaklığında bazı elektrik özellikleri incelenmiştir. Karanlıkta ve ışık altında düz ve ters gerilim uygulanarak diyotlara ait temel elektriksel parametre verileri alınmış ve hesaplanmıştır.

Diyotlaragönderilen ışık akıları 1000-10000 lux’tür. Farklı oranlı rGO ara yüzeylidiyotların elektriksel parametreleri değiştirmiştir. Ayrıca klasik ve yeni Nss parametreleri de incelenmiş, literatürdeolmayan sonuçlara ulaşılmıştır.