SCHOTTKY DİYOTLARIN KARAKTERİSTİK PARAMETRELERİNİN BELİRLENMESİNDE FREKANS OPTİMİZASYONU

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik (Yl) (Tezli), Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2006

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Reşit Özmenteş

Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Cabir Temirci

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada daha önceden üretilmiş olan Sn/p-Si Schottky kontaklarıkullanıldı. Numuneler diyot A, diyot B, diyot C ve diyot D olarak adlandırıldı.Numunelerin karanlıkta Akım-Voltaj (I-V), Kapasitans-Voltaj (C-V) ve Kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi FizikBölümü ölçüm laboratuarında oda sıcaklığında alındı. Numunelerin idealitefaktörleri (n) ve engel yükseklikleri (Φb), doğru beslem I-V karakteristiklerinden veayrıca sonuçların uyumluluğunu kontrol etmek için Cheungs Fonksiyonlarındanhesaplandı. Numunelerin seri dirençleri Cheungs Fonksiyonlarından belirlendi.Numunelerin iki ayrı frekans değerinde (1 MHz ve 5 MHz'de) C-V karakteristiklerikullanılarak engel yükseklikleri hesaplandı. Numunelerin 5 MHz'deki engelyüksekliği değerlerinin 1 MHz'deki engel yüksekliği değerlerinden daha büyükolduğu tespit edildi ve bu durum kontakların arayüzey hallerine atfedildi. İlaveolarak, diyot A'nın 100 kHz-20 MHz frekans aralığında C-V karakteristiklerindendifüzyon potansiyelini hesaplayarak, difüzyon potansiyeli-frekans değişimigözlendi.Anahtar Kelimeler: Engel yüksekliği, İdealite faktörü, Metal-Yarıiletkenkontak, Schottky kontaki