Evolution of vibrational modes of SiO 2 during the formation of Ge and Si nanocrystals by ion implantation and magnetron sputtering

Gencer Imer A., YERCİ S., Alagoz A., Kulakci M., Serincan U., Finstad T., ...Daha Fazla

Journal of Nanoscience and Nanotechnology, cilt.10, sa.1, ss.525-531, 2010 (SCI-Expanded) identifier identifier identifier

  • Yayın Türü: Makale / Tam Makale
  • Cilt numarası: 10 Sayı: 1
  • Basım Tarihi: 2010
  • Doi Numarası: 10.1166/jnn.2010.1728
  • Dergi Adı: Journal of Nanoscience and Nanotechnology
  • Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
  • Sayfa Sayıları: ss.525-531
  • Anahtar Kelimeler: Si, Ge, SiO2, SiOx, Nanocrystals, Ion Implantation, Magnetron Sputtering, FTIR, TEM, AMORPHOUS-SILICON DIOXIDE, SIO2-FILMS, MATRIX, SPECTROSCOPY, PHOTOELECTRON, STATES, LAYERS, FILMS
  • Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi Adresli: Hayır