11. INTERNATIONAL BILTEK CONGRESS ON CURRENT DEVELOPMENTS IN SCIENCE, TECHNOLOGY AND SOCIAL SCIENCES, Ankara, Türkiye, 25 - 26 Mayıs 2025, ss.458-466, (Tam Metin Bildiri)
Bu
çalışmada yarı-Heusler ve kübik yapıda olan SrCaSi
kristalinin temel durumda bir takım fiziksel özellikleri Yoğunluk
Fonksiyoneli Teorisi ile Genelleştirilmiş Gradyent Yaklaşımı altında Quantum
Espresso ve Abinit bilgisayar programları ile incelenmiştir. SrCaSi kristali uzay grubu (No:216)
ve
nokta grubundadır.
İlk olarak, kesme enerjisi ve k noktaları sayısı optimizasyonları yapılmış,
kesme enerjisi değeri 80 Ry ve Monkhorst-Pack bölümleme değeri ise 12x12x12
olarak bulunmuştur. Ardından hacim optimizasyonu ile örgü parametre değeri ve
yapısal özellikleri ortaya konulmuştur. Vesta bilgisayar programı kullanılarak,
SrCaSi kristalinin bağ uzunlukları ve birim hücre yapısı elde edilmiştir. Kübik
SrCaSi kristalinin elektronik özelliklerini ortaya koyabilmek için elektronik
band yapısı grafiği hesaplanmış ve çizdirilmiştir. Bu grafikte 4 valans bandı
ve 11 iletim bandı olmak üzere 15 band değeri verilmiştir. Fermi enerji
seviyesi 0 eV değeri ile eşleştirilmiştir. Valans ve iletim bandları arasında
0.49 eV değerinde yasak band aralığı olduğu görülmüş ve kristalin doğrudan
geçişli bir yarı iletken olduğu bulunmuştur. Ardından SrCaSi kristalinin
dinamik özelliklerine odaklanılmış ve fonon band grafiği elde edilmiştir. Bu
kristalin temel durumda dinamik olarak kararsız olduğu görülmüştür. Dinamik
olarak kararsız yapıda olan bazı kristallere basınç uygulandığında kararlı hale
gelebildikleri bilinmektedir. SrCaSi kristalinin, oldukça yüksek basınç
değerlerinde bile (yaklaşık 1000 kbar) dinamik olarak kararlı hale gelmediği
görülmüştür. Son olarak, kristalin elastik özelliklerinin anlaşılması için
elastik sertlik katsayıları, Bulk modülü, Shear modülü ve Poisson oranı
hesaplanmış ve kristalin elastik olarak esnek olduğu anlaşılmıştır. Ayrıca
SrCaSi kristaline kararlılık koşulları uygulandığında, elastik olarak da
kararsız yapıda olduğu görülmüştür. Bu çalışmanın SrCaSi kristali üzerinde
çalışmalar yapacak olan araştırmacılara ışık tutacağı umularak, pek çok
uygulama alanında yararlı olacağı öngörülmektedir.
In this study, some physical properties of SrCaSi crystal, which has a
half-Heusler and cubic structure, have been investigated in the ground state
under the Generalized Gradient Approximation with Density Functional Theory
using Quantum Espresso and Abinit computer programs. The SrCaSi crystal is in
the space group (No:216) and
point group. Firstly, the cut-off energy and
the number of k points were optimised and the cut-off energy value was found to
be 80 Ry and the Monkhorst-Pack grid value was found to be 12x12x12. Then, the
lattice parameter value and structural properties were determined by volume
optimisation. Bond lengths and unit cell structure of SrCaSi crystal were
obtained by using Vesta computer programme. In order to reveal the electronic
properties of the cubic SrCaSi crystal, the electronic band structure graph was
calculated and plotted. In this graph, 15 band values including 4 valence bands
and 11 conduction bands are given. The Fermi energy level was matched with a
value of 0 eV. A forbidden band gap of 0.49 eV was observed between the valence
and conduction bands and the crystal was found to be a semi-conductor with a
direct transition. We then focused on the dynamic properties of SrCaSi crystal
and obtained the phonon band graph. This crystal was found to be dynamically
unstable in the ground state. It is known that some dynamically unstable
crystals can become stable when pressure is applied. It was observed that
SrCaSi crystal did not become dynamically stable even at very high pressure
values (about 1000 kbar). Finally, elastic stiffness coefficients, Bulk modulus,
Shear modulus and Poisson's ratio were calculated to understand the elastic
properties of the crystal and it was found that the crystal is elastically
flexible. In addition, when stability conditions were applied to SrCaSi
crystal, it was observed that it was also elastically unstable. It is hoped
that this study will shed light on the researchers who will work on SrCaSi
crystal and will be useful in many application areas.