Ab-initio study on Electronic structure of LaMn2X (X=Ge, Si)
4th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN NATURAL & APPLIED SCIENCES, Ağrı, Türkiye, 19 - 22 Haziran 2019, ss.134, (Tam Metin Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
- Basıldığı Şehir: Ağrı
- Basıldığı Ülke: Türkiye
- Sayfa Sayıları: ss.134
- Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi Adresli: Evet