Akademik Veri Yönetim Sistemi
JOURNAL OF THE FACULTY OF ENGINEERING AND ARCHITECTURE OF GAZI UNIVERSITY, cilt.1, sa.1, ss.1-11, 2024 (SCI-Expanded)
Bu çalışmada, geleneksel işlemsel yükselteç (741 ailesi) devre elemanının iç yapısı doğrusal TiO2 sürüklenme hızlı memristör (DTSHM) emulatör modeli ile yeniden tasarlanarak yeni bir op-amp modeli oluşturulmuştur. Önerilen bu op-amp modelinin optimize edilmiş çalışma koşulları ve durumları yeniden belirlendi. RC osilatörlerinden biri olan faz kaydırmalı osilatör (FKO) devresinde yükseltici eleman olarak memristor tabanlı op-amp modeli kullanılmıştır. Önerilen yeni FKO ile salınım başlama zamanı, yerleşme zamanı, hızlı fourier dönüşümü (FFT) analizi ve bunların çıkış parametreleri üzerindeki etkileri hem deneysel hem de simüle edilmiştir. Bu çalışmada önerilen yeni osilatör modeli, sadece orta frekans bölgesinde değil, aynı zamanda düşük ve yüksek frekans bölgelerinde de detaylı olarak değerlendirilmektedir. Ayrıca bu devrelerin verimliliği uygulama devreleri ile entegre edilmiş ve önerilen op-amp modelinin doğruluğu ve uygulanabilirliği teorik olarak kapsamlı bir şekilde çalışılmış ve deneysel ve simülasyon sonuçları ile desteklenmiştir. Son olarak önerilen op-amp modeli ile gerçekleştirilen osilatör devrelerinin hem simülasyonu hem de deneysel sonuçları tablolar halinde detaylı olarak sunulmuştur.