The effect of the post annealing on the formation of nanocrystalline SiC film deposited by PECVD at low temperature

İmer A. G., Turan R.

Nanoscience and Nanotechnology IX (NanoTR-IX), Erzurum, Türkiye, 24 - 28 Haziran 2013, ss.130

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Erzurum
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.130
  • Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi Adresli: Evet