Structural Characterization of InSe:Zn Layer Semiconductor Grown by Bridgman/Stockbarger Technique

Gürbulak B., Ashkhasi A., Şata M., Kaya F. Ş., Duman S.

IPCAP, Erzurum, Türkiye, 23 Şubat 2016, ss.60

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Erzurum
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.60
  • Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi Adresli: Evet