The effect of the post annealing on the formation of nanocrystalline SiC film deposited by PECVD at low temperature
Atıf İçin Kopyala
İmer A. G., Turan R.
Nanoscience and Nanotechnology IX (NanoTR-IX), Erzurum, Türkiye, 24 - 28 Haziran 2013, ss.130
-
Yayın Türü:
Bildiri / Tam Metin Bildiri
-
Basıldığı Şehir:
Erzurum
-
Basıldığı Ülke:
Türkiye
-
Sayfa Sayıları:
ss.130
-
Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi Adresli:
Evet