Structural Characterization of InSe:Zn Binary Semiconductor Grown by Bridgman Stockbarger Technique
International Journal of Thales Natural Sciences, cilt.1, sa.1, ss.18-28, 2016 (Hakemli Dergi)
- Yayın Türü: Makale / Tam Makale
- Cilt numarası: 1 Sayı: 1
- Basım Tarihi: 2016
- Dergi Adı: International Journal of Thales Natural Sciences
- Sayfa Sayıları: ss.18-28
- Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi Adresli: Hayır