Structural Characterization of InSe:Zn Layer Semiconductor Grown by Bridgman/Stockbarger Technique

Atıf İçin Kopyala

Gürbulak B., Ashkhasi A., Şata M., Kaya F. Ş., Duman S.

IPCAP, Erzurum, Türkiye, 23 Şubat 2016, ss.60, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Basıldığı Şehir: Erzurum
• Basıldığı Ülke: Türkiye
• Sayfa Sayıları: ss.60
• Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi Adresli: Evet